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与三星的5nm工艺（用于骁龙 888 和 Exynos 2100）相比，三星的3nm节点将带来35%的面积减少、30% 的性能提升或 50% 的功耗降低。

这将通过切换到晶体管的全方位栅极 （GAA） 设计来实现。这是 FinFET 鳍式场效应晶体管之后的下一步，因为它允许代工厂缩小晶体管，而不会损害其承载电流的能力。

新工艺最大的担忧是产量。去年10月，三星表示其3nm工艺的良率“正在接近与4nm工艺相似的水平”。虽然该公司从未公布官方数据，但分析师认为，三星的4nm节点受到良率问题的困扰。

美国总统拜登上个月参观了三星位于平泽的工厂，参加了三星3nm技术的演示。去年有传言称，该公司可能会投资100亿美元在美国德克萨斯州建立一家3nm代工厂。该投资已增至170亿美元，该工厂预计将于2024年开始运营。

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文章关键词： 三星3nm

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